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MASMLJ30AE3/TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小175KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MASMLJ30AE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

MASMLJ30AE3/TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压36.8 V
最小击穿电压33.3 V
击穿电压标称值35.05 V
最大钳位电压48.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.61 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
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