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ER2AT/R13

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER2AT/R13概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

ER2AT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

ER2AT/R13文档预览

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ER2A~ER2J
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Built-in strain relief
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 600 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Indicated by cathode band
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0032 ounce, 0.093 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at T
L
=110
O
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 2.0A
Maximum DC Reverse Current T
J
=25
O
C
at Rated DC Blocking VoltageT
J
=100
O
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction capacitance (Note 2)
Typical thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
0.95
1.0
150
35
25
20
-55 to +150
O
ER2A
50
35
50
ER2B
100
70
100
ER2C
150
105
150
ER2D
200
140
200
2.0
50
ER2E
300
210
300
ER2G
400
280
400
ER2J
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
1.25
1.7
V
µA
ns
pF
C/W
O
t
rr
C
J
R
θ
JL
T
J
,T
S T G
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-MAR.06.2009
PAGE . 1
【连载】【ALIENTEK MiniSTM32 开发板】STM32不完全手册--待机唤醒实验(实验十二)
52992 52993 52994 52995 52996 52997 52998 52999 53000 开发板购买地址:http://shop62103354.taobao.com/ ...
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