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ES1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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ES1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN

ES1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性UL FLAMMABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
ES1A thru ES1G
REVERSE VOLTAGE -
50
to
400
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
SURFACE MOUNT
SUPER FAST RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Super fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
B
SMA
SMA
A
C
DIM.
A
B
C
D
E
F
F
D
G
H
MIN.
4.06
2.29
1.27
0.15
4.83
0.05
2.01
0.76
MAX.
4.57
2.92
1.63
0.31
5.59
0.20
2.62
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 0.002 ounces, 0.064 grams
G
H
E
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
ES1A
50
35
50
ES1B
100
70
100
ES1C
150
105
150
1.0
30
0.92
5.0
200
25
10
25
-55 to +150
-55 to +150
1.25
ES1D
200
140
200
ES1G
400
280
400
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
0JL
@T
L
=110 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
A
V
uA
ns
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KSGA01
NOTES : 1.Reverse Recovery Test Conditions :I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance junction to Lead.
两个RtlInitUnicodeString()有什么区别
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