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2SA1855

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FLP-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SA1855概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FLP-3

2SA1855规格参数

参数名称属性值
Objectid1481977492
零件包装代码FLIP-CHIP
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

2SA1855相似产品对比

2SA1855 2SC4837
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FLP-3 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FLP-3
Objectid 1481977492 1481977781
零件包装代码 FLIP-CHIP FLIP-CHIP
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz
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