Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> ES2BA

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ES2BA: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小141KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 标准; 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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ES2BA概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

ES2BA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
应用	EFFICIENCY
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.92 V
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.025 µs
表面贴装	YES
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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ES2AA thru ES2MA

Super Fast Surface Mount Rectifiers

Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 2.0 Amperes

Features

Glass passivated chip

Super fast switching for high efficiency

For surface mounted applications

Low forward voltage drop and high current capability

Low reverse leakage current

Plastic material has UL flammability classification 94V-0

Mechanical Data

Case : Molded plastic

Polarity : Indicated by cathode band

Weight : 0.002 ounce, 0.064 gram

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Parameter

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward

rectified current

=110

Symbols

RRM

RMS

(AV)

FSM

STG

0.92

5.0

350

-55 to +150

2AA

2B A

100

2C A

150

105

150

2D A

200

140

200

2FA

300

210

300

2.0

2GA

400

280

400

2JA

600

420

600

2K A

800

560

800

2MA

1000

700

1000

Units

Volts

Amps

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage @ 2.0A DC

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

@ T

=25 C

@ T

=125

50.0

1.25

1.7

Amps

Volts

C/W

Maximum reverse recovery time (Note 1)

Typical junction capacitance (Note 2)

Typical thermal resistance (Note 3)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

Notes:

1. Reverse Recovery Test Conditions: I

=0.5A, I

=1.0A, I

=0.25A

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3. Thermal Resistance junction to Lead.

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