NPN general purpose transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 29-11 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 75 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
| MPS8598G | MPS8098_06 | MPS8598 | MPS8599RLRM | MPS8099RLRP | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | NPN general purpose transistor | NPN general purpose transistor | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | NPN general purpose transistor | NPN general purpose transistor |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | - | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | TO-92 | - | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 29-11 | - | CASE 29-11 | CASE 29-11 | CASE 29-11 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | - | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V | - | 60 V | 80 V | 80 V |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 75 | - | 75 | 75 | 75 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | - | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | - | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | 240 | 240 |
| 极性/信道类型 | PNP | - | PNP | PNP | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W | - | 0.625 W | 0.625 W | 0.625 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | 30 | 30 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz | - | 150 MHz | 150 MHz | 150 MHz |
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