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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> KBJ2008N

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KBJ2008N: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ, 4 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小117KB，共3页; 制造商台湾光宝(LITEON); 官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index; Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯；公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案，稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明，商用产品和应用特定型产品的大批量生产，以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。

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KBJ2008N概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ, 4 PIN

KBJ2008N规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	台湾光宝(LITEON)
包装说明	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最小击穿电压	800 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	2.8 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

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