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KBJ4B

产品描述Bridge Rectifier Diode, 4A, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小761KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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KBJ4B概述

Bridge Rectifier Diode, 4A, 100V V(RRM),

KBJ4B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最小击穿电压100 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2.4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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GBJ/KBJ4A thru GBJ/KBJ4M
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers
Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 4.0 Amperes
Features
Surge overload rating - 150 Amperes peak
Ideal for printed circuit boards
Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
Mounting Position: Any
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
(with heatsink Note 2)
rectified output current @T
C
=100
o
C (without heatsink)
Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Max. instantaneous forward voltage drop at 2.0A DC
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage per element
Rating for fusing (t<8.3ms)
Typical junction capacitance per element (Note 1)
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating temperature range
Storage temperature range
Notes:
@T
J
=25 C
@T
J
=125
o
C
o
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θ
JC
T
J
T
STG
K B J4A
GBJ4A
50
35
50
K B J4B
GBJ4B
100
70
100
K B J4D
GBJ4D
200
140
200
K B J4G
GBJ4G
400
280
400
4.0
2.4
150.0
1.0
5.0
500.0
93
45
2.2
-55 to +150
-55 to +150
K B J4J
GBJ4J
600
420
600
K B J4K
GBJ4K
800
560
800
K B J4M
GBJ4M
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volt
uA
A
2
se c
pF
o
C/W
o
C
C
o
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
2. Device mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm Cu plate heatsink
634
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