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HN1C01FU-Y(5RMAA,F

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小235KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1C01FU-Y(5RMAA,F概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

HN1C01FU-Y(5RMAA,F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

HN1C01FU-Y(5RMAA,F相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 Toshiba(东芝) - - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 - - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknown - - unknown unknown
Is Samacsys N - - N N
最大集电极电流 (IC) 0.15 A - - 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V - - 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS - - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 120 - - 200 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 - - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 - - 2 2
端子数量 6 - - 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN - - NPN NPN
表面贴装 YES - - YES YES
端子形式 GULL WING - - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - - DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz - - 80 MHz 80 MHz
Base Number Matches 1 - - 1 1
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