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DF1508S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DF-S, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小21KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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DF1508S概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DF-S, 4 PIN

DF1508S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压800 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE
ON
POWER
SEMICONDUCTOR
DF15005S thru DF1510S
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.5
Amperes
SURFACE MOUNT
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop, high current capability.
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique results in inexpensive product
Lead Pb/Sn copper
The plastic material has UL flammability classification
94V-0
UL recognized file # E95060
DF-S
A
I
D
B
J
G
C
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
DF-S
MIN.
8.20
6.20
7.40
2.40
5.00
1.14
.076
0.22
1.02
MAX.
8.50
6.50
10.30
7.90
2.60
5.20
.330
0.30
1.53
MECHANICAL DATA
Polarity : As marked on Body
Weight : 0.02 ounces, 0.38 grams
Mounting position : Any
E
F
H
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
DF
15005S
50
35
50
DF
1501S
100
70
100
DF
1502S
200
140
200
DF
1504S
400
280
400
1.5
50
1.1
10
500
10.4
25
40
-55 to +150
-55 to +150
DF
1506S
600
420
600
DF
1508S
800
560
800
DF
1510S
1000
700
1000
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
A
=
40 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 1.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
FSM
V
F
I
R
I t
C
J
R
0JA
2
A
V
uA
AS
pF
C/W
2
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
I t Rating for fusing (t < 8.3ms)
Typical Junction
Capacitance per element (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
2
T
J
T
STG
C
C
REV. 1, 24-May-2000
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC.
2.Thermal resistance from junction to ambient mounted on P.C.B
with 0.5x0.5"(13x13mm) copper pads.
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