电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5229AT/R15

产品描述Zener Diode, 4.3V V(Z), 3%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

1N5229AT/R15概述

Zener Diode, 4.3V V(Z), 3%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5229AT/R15规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.3 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差3%
Base Number Matches1

1N5229AT/R15文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
h e
sa
r
e
e e
aue
O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
自己做的板子烧进去一个分频程序,板子输出波形是乱的
自己做的板子,用assign给端口赋值可以点亮led灯,但烧进去一个分频程序,板子输出就有问题了,有人遇到过这种情况吗? 程序烧进买的开发板,输出是正常的波形,但烧进自己做的板子输出的波形 ......
xiaofeiyu1 FPGA/CPLD
电源线和下载线有什么别?
我的两根线是一样的,今天随便拿出一根接到51单片机学习板上发现数码管显示不正常,换一根后又显示正常了,猜想这两根线不一样,不知道有什么区别,希望高手指点指点,我是初学者! 谢谢了...
2012022111 51单片机
mpu9250
void READ_MPU9250_ACCEL(void) { BUF=Single_Read(ACCEL_ADDRESS,ACCEL_XOUT_L); BUF=Single_Read(ACCEL_ADDRESS,ACCEL_XOUT_H); T_X= (BUF...
yuxinxin1111 stm32/stm8
WinCE中关于虚拟内存的配置
在2440\src\inc\oemaddrtab_cfg.inc里面,有一个g_oalAddressTable,定义的是系统虚拟地址的使用分配,那么在config.bib里面,我们定义的虚拟地址所占用的地址段跟这个表的会不会冲突?如果不会冲突, ......
sgy1350611007 嵌入式系统
使用JATG在线防真调程序的问题!
小弟,有个问题,就是使用JATG在线调试程序的时候,如果目标板卡上有高速的数据流进行接受,比如串口115200拨特率时候,如果在开发环境中,经常的使用刷新功能,会不会影响数据的正常的接受 ......
qybr0159 嵌入式系统
测评报告汇总:基于全志的AI开发板——R329开发板
活动详情:https://bbs.eeworld.com.cn/elecplay/content/182 更新日期:10月22日 测评报告汇总: @x1816 R329 周易AIPU环境搭建和仿真实战 MaixSense R329开发板开箱和简介 ......
okhxyyo 国产芯片交流
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved