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1N4757A

产品描述SILICON PLANAR ZENER DIODES
文件大小57KB,共3页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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1N4757A概述

SILICON PLANAR ZENER DIODES

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CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
1N4728A THRU 1N4764A
SILICON PLANAR ZENER DIODES
FEATURES
·Voltage
Range: 3.3V to 100V
·Double
siug type construction
DO-41
1.0(25.4)
MIN.
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA.
DIA.
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:Color
band denotes cathode end
·Mounting
position:
Any
·Weight:
0.33 grams
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Absolute Maximum Ratings
(T
a
=25°C)
SYMBOL
VALUE
1)
units
W
°C
Zener Current see Table
“Characterstics”
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Junction Temperature
1)
P
tot
T
J
0.5
150
Valid provided that leads at a distance of 8 mm form case are kept at ambient temperature.
Characteristics at T
amb
=25°C
SYMBOL
Min.
--
Typ.
--
Max.
1.2
units
V
Forward Voltage at I
F
=250mA
V
F
Valid provided that leads at a distance of 8 mm form case are kept at ambient temperature.
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
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