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1N4448T/R13

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4448T/R13概述

Rectifier Diode,

1N4448T/R13规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
Base Number Matches1

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1N4448
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES
VOLTAGE
100 Volts
POWER
500 mW
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.
• Silicon Epitaxal Planar Construction.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
3.0
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at Ta=25
Surge Forward Current at t < 1s and Tj= =25
Power Dissipation at Tamb= 25
O
O
SYMBOL
V
RM
V
DC
C And f >50Hz
I
AV
I
FSM
P
TOT
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
J
,T
S
1N4448
100
75
150
500
500
1.0
30
50
4
4
350
-65 to +175
UNITS
V
V
mA
mA
mW
V
nA
µA
pF
ns
O
O
C
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=100mA
Maximum Leakage Current
at V
R
=20V
at V
R
=20V ,T
J
= 150
O
C
Maximum Capacitance at V
F
=V
R
=0
Maximum Reverse Recovery Time From
I
F
=-I
R
=10mA to I
R R
=-1mA ,V
R
=6V R
L
=100
Typical Maximum Thermal Resistance
Junction Temperature and Storage Temperature Range
C/W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
STAD-FEB.17.2009
PAGE . 1
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