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1N5403G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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1N5403G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

1N5403G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-201AD
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
1N5400G thru 1N5408G
REVERSE VOLTAGE -
50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
3.0
Amperes
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
A
DO-201AD
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-201AD molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.04 ounces, 1.1 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
DO-201AD
Min.
Max.
-
25.4
7.30
9.50
B
1.20
1.30
C
4.80
5.30
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
SYMBOL
5400G 5401G 5402G 5403G 5404G 5405G 5406G 5407G 5408G
UNIT
200
300 400
50
500
600
800 1000
100
V
V
RRM
140
210 280
350
420
560
700
35
70
V
V
RMS
200
300 400
500
600
800 1000
50
100
V
V
DC
I
(AV)
3.0
125
1.1
5
100
40
15
3
-55 to +150
A
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
@T
A
=
55 C
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
T
RR
A
V
uA
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
us
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDDF01
T
J
,T
STG
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3.Reverse and Recovery Test Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
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