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1N4004GL

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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1N4004GL概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN

1N4004GL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明PLASTIC, A-405, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性UL FLAMMABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
1N4001GL thru 1N4007GL
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Ampere
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
A
A-405
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC A-405 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.008 ounces, 0.22 grams
Mounting position : Any
A-405
Dim.
A
Min.
25.4
4.10
5.20
B
0.53
0.64
C
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
Max.
-
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
4001GL 4002GL 4003GL 4004GL 4005GL 4006GL 4007GL
UNIT
100
200
400
600
800
50
1000
V
70
140
280
420
560
700
35
V
100
200
400
600
800
50
1000
V
1.0
30
1.1
5.0
50
10
45
2.0
-55 to +150
-55 to +150
A
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
A
=
75 C
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
T
RR
A
V
uA
pF
C/W
us
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDDB01
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3. Reverse Recovery Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A.
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