Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5711W

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1N5711W: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小19KB，共1页; 制造商台湾光宝(LITEON); 官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index; Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯；公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案，稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明，商用产品和应用特定型产品的大批量生产，以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。

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1N5711W概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

1N5711W规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	台湾光宝(LITEON)
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.015 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.25 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	70 V
最大反向恢复时间	0.001 µs
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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1N5711W

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

POWER SEMICONDUCTOR

Features

•

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Construction for Transient

Protection

Fast Switching Time

Low Reverse Capacitance

Surface Mount Package Ideally Suited for

Automatic Insertion

SOD-123

Dim

Min

3.55

2.55

1.40



0.25



Max

3.85

2.85

1.70

1.35



0.10

A B

Mechanical Data

•

Case: SOD-123, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Polarity: Cathode Band

Marking: Date Code and Type Code

Type Code: SA

Weight: 0.01 grams (approx.)

@ T

= 25°C unless otherwise specified

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

θJA

STG

0.55 Typical

0.15 Typical

All Dimensions in mm

Maximum Ratings

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Maximum Forward Current

Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

1N5711W

250

600

-65 to +175

Unit

K/W

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Forward Voltage Drop

Junction Capacitance

Reverse Recovery Time

Note:

@ T

= 25°C unless otherwise specified

Symbol

(BR)R

Min



Typ



Max



200

0.41

1.00

2.0

1.0

Unit

Test Condition

= 10µA

= 50V

= 1.0mA

= 15mA

= 0V, f = 1.0MHz

= I

= 5.0mA

= 0.1 x I

, R

= 100Ω

1. Valid provided that terminals from the case are maintained at ambient temperature.

DS11015 Rev. B-2

1 of 1

1N5711W

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