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1N6263W

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小16KB,共1页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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1N6263W概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN

1N6263W规格参数

参数名称属性值
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码SOD
包装说明R-PDSO-G2
针数2
制造商包装代码SOD-123
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FAST SWITCHES
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.015 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向恢复时间0.001 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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1N6263W
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
POWER SEMICONDUCTOR
Features
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring Construction for Transient
Protection
Fast Switching Time
Low Reverse Capacitance
Surface Mount Package Ideally Suited for
Automatic Insertion
D
E
SOD-123
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
Min
3.55
2.55
1.40
0.25
Max
3.85
2.85
1.70
1.35
0.10
A B
G
C
J
Mechanical Data
Case: SOD-123, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Date Code and Type Code
Type Code: SB
Weight: 0.01 grams (approx.)
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
RRM
VRWM
V
R
0.55 Typical
0.15 Typical
H
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t
1.0s
@ t = 10ms
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
1N6263W
60
42
15
50
2.0
400
375
-65 to +175
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
K/W
°C
V
R(RMS)
I
F
I
FSM
P
d
R
θJA
T
j
, T
STG
Electrical Characteristics
Characteristic
Reverse Leakage Current
Forward Voltage Drop
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
I
RM
V
FM
C
j
t
rr
Min
Typ
2.0
1.0
Max
200
0.41
1.0
Unit
nA
V
pF
ns
Test Condition
V
R
= 50V
I
F
= 1.0mA
I
F
= 15mA
V
R
= 0V, f = 1.0MHz
I
F
= I
R
= 5.0mA
I
rr
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100Ω
Note:
1. Valid provided that terminals from the case are maintained at ambient temperature.
DS11014 Rev. B-2
1 of 1
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