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TWEAKLJANF-19.200000

产品描述CMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Min, 40MHz Max, 19.2MHz Nom,
产品类别无源元件    振荡器   
文件大小202KB,共1页
制造商泰艺电子(TAITIEN)
官网地址http://www.taitien.com/cn/
标准
Taitien 是全球领先的频率控制产品制造商,提供广泛的石英晶体、振荡器、VCXO、TCXO、OCXO、精密晶体和厚度监测器晶体。该公司通过了 ISO 9001 和 TS 16949 认证,在中国台湾、中国大陆和美国拥有丰富的设计和工程资源。

Taitien 成立于 1976 年,是音叉原始制造商之一。上世纪 90 年代早期,Taitien 成为主要电信公司的主要 VCXO 供应商。接下来几年,Taitien 在研发领域投入大量资源,成为领先的具有 CMOS 和 LVPECL 输出的表面贴装振荡器生产商之一。今天,Taitien 在 FCP 业内仍是顶级制造商,为世界各地的客户提供最前沿的解决方案。
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TWEAKLJANF-19.200000概述

CMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Min, 40MHz Max, 19.2MHz Nom,

TWEAKLJANF-19.200000规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称泰艺电子(TAITIEN)
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
JESD-609代码e4
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量4
最大工作频率40 MHz
最小工作频率10 MHz
标称工作频率19.2 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
振荡器类型CMOS
封装主体材料CERAMIC
封装等效代码DILCC4,.12,146
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率6 mA
标称供电电压3.3 V
表面贴装YES
端子面层Nickel/Gold (Ni/Au)
Base Number Matches1

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TW Type
5.0 x 3.2 mm SMD High Precision Voltage
Controlled Temperature Compensated
Crystal Oscillator
FEATURE
- Typical 5.0 x 3.2 x 1.55 mm ceramic SMD package.
- ±0.28ppm, -40°C~+85°C ; ±0.05ppm, -10°C~+70°C
- CMOS and Clipped Sine wave (without DC-cut capacitor) output optional.
TYPICAL APPLICATION
- Base Stations, Stratum 3
- Femtocell
DIMENSION (mm)
[ TOP VIEW ]
5.00±0.20
#4
3.20±0.20
#3
2.20±0.15
#3
Actual Size
RoHS Compliant
SOLDER PAD LAYOUT (mm)
[ BOTTOM VIEW ]
3.70 ±0.15
#4
0.1μF
1.20
3.80
#1
#2
#2
1.10 ±0.15
#1
0.80 ±0.15
Pin#
Function
Vcon:VC-TCXO
GND/NC:TCXO
GND
OUTPUT
V
DD
1.50
[ SIDE VIEW ]
1.55±0.10
1
2
3
4
To ensure optimal oscillator performance, place a by-pass capacitor of 0.1
μF
as close to the part as possible between Vdd and GND pads.
ELECTRICAL SPECIFICATION
Parameter
Supply Voltage Variation (V
DD
)
Frequency Range
Standard Frequency (for CMOS)
Standard Frequency (for Clipped Sine Wave)
Frequency Tolerance*
Frequency Stability
Vs Supply Voltage (±5%) change
Vs Load (±10%) change
Vs Aging (@1st year)
Supply Current (CMOS output)
10 MHz Fo 40 MHz
5.0 V
Min.
V
DD
-5%
10
Max.
Min.
V
DD
+5%
V
DD
-5%
52
10
10, 12.8,13, 19.2, 20, 25, 26, 30.72
10, 12.8,13, 19.2, 20, 25, 26, 30.72
_
±2.0
±0.3
±0.2
±1.0
6
8
3.5
3.3V
Max.
V
DD
+5%
52
Unit
V
MHz
±2.0
±0.3
±0.2
±1.0
6
8
3.5
ppm
_
_
_
_
_
_
_
90%V
DD
_
_
_
_
_
_
90%V
DD
2.20
ppm
40 MHz
Fo 52 MHz
mA
Supply Current (Clipped Sine Wave)
Output Level (CMOS)
Output High (Logic “1”)
Output Low (Logic “0”)
Duty
Output Level (Clipped Sine Wave)
Load (CMOS)
Load (Clipped Sine Wave)
Control Voltage Range (VCTCXO)
Pulling Range (VCTCXO)
Vc Input Impedance (VCTCXO)
100 Hz
Phase Noise @ 10 MHz
1 kHz
10 kHz
Start time
Storage Temp. Range
_
10%V
DD
55
_
10%V
DD
55
V
%
Vp-p
_
_
45
0.8
_
45
0.8
_
15pF
10 KΩ // 10pF
0.5
±5.0
100
-125
-145
-150
2
125
2.5
15pF
10 KΩ // 10pF
_
_
0.5
±5.0
100
-125
-145
-150
2.5
_
_
V
ppm
dBc/Hz
_
-55
_
-55
2
125
mSec
°C
Standard frequencies are frequencies which the crystal has been designed and does not imply a stock position.
Frequency at 25°C, 1 hour after reflow.
FREQ. STABILITY vs. TEMP. RANGE
Temp.
(°C)
ppm
±0.05
±0.1
±0.2
±0.28
±0.5
-10 ~ +70
-20 ~ +70
-40 ~ +85
*
: Available
:Conditional X: Not available
Note: not all combination of options are available. Other specifications may be available upon request.
56
www.taitien.com
sales@taitien.com.tw
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