Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 电容器> 10PL33000TAC

文档预览

10PL33000TAC: 产品描述Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33000uF, Through Hole Mount; 产品类别无源元件电容器; 文件大小57KB，共2页; 制造商太阳电子(SUNCON); 官网地址http://www.sunelec.co.jp; SUN Electronic Industries Corporation是一家电子零件制造商，从设计到成品检验，集成系统生产铝电解电容器，DC-DC转换器，AC-DC电源和OEM组装高密度安装板，广泛提供小型，高性能和高品质的产品给国内外领先的制造商。

下载文档详细参数全文预览

10PL33000TAC概述

Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33000uF, Through Hole Mount

10PL33000TAC规格参数

参数名称	属性值
Objectid	2005218907
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
YTEOL	7
电容	33000 µF
电容器类型	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
介电材料	ALUMINUM (WET)
漏电流	1.72336 mA
制造商序列号	PL-TA
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT
负容差	20%
端子数量	2
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-40 °C
封装形状	CYLINDRICAL PACKAGE
极性	POLARIZED
正容差	20%
额定（直流）电压（URdc）	10 V
纹波电流	3400 mA
表面贴装	NO
Delta切线	0.55
端子形状	SNAP-IN

10PL33000TAC文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Large Aluminium Electrolytic Capacitors

PL-TA

Series

■

Specifications

Items

Rated voltage

（

）

Category temperature range

（℃）

Capacitance tolerance

（%）

Snap-in Type

105℃ Standard

Specifications

±20

0.55

0.45

0.35

0.30

0.25

0.20

0.17

nominal capacitance＞33000μF. Please add following calculated value

nominal cap.ー33000μF

×0.1

10000μF

3 CV

105℃ 3000hrs.

Within

±20%

of the initial value

Twice the initial standard

The initial standard

100

（120Hz/20℃）

0.15

ー40

＋105

Tangent of loss angle（tanδ）

（120Hz/20℃）

（MAX.）

Leakage current L.C.）

（

（μA／after

5min）

（MAX.）

Test

Endurance

rated voltage applied.

△C／C

tanδ

L.C.

■

Size List, Maximum Permissible Ripple Current

μF

Case size；φD×L

（A）

φ20

φ22

φ25

φ30

φ35

1.30

1.60

1.30

1.60

1.80

2.20

2.30

2.40

2.60

3.10

3.40

3.70

4.20

5.00

5.50

20×25

20×30

20×35

20×40

22×25

22×30

22×35

22×40

22×45

22×50

25×25

25×30

25×35

25×40

25×45

25×50

30×25

30×30

30×35

30×40

30×45

30×50

35×25

35×30

35×35

35×40

35×50

φ20

φ22

22×20

25×20

20×30

20×35

20×40

22×25

30×20

22×30

22×35

22×40

22×45

25×25

35×20

25×30

25×35

25×40

25×45

25×50

30×25

30×30

30×35

30×40

30×45

35×25

35×30

35×35

35×45

35×50

2.90

3.20

3.50

3.90

4.30

5.00

22×50

φ25

φ30

φ35

1.10

1.30

1.60

2.00

1.80

2.20

2.40

2.30

2.70

3.00

3.20

3.60

3.90

4.30

4.80

5.50

1.40

1.90

1.70

2.00

2.20

2.00

2.40

2.60

22×35

22×40

20×35

20×40

22×30

22×35

20×30

22×25

φ20

φ22

22×20

2.20

1.80

2.40

2.60

2.40

2.90

3.20

3.50

3.80

4.20

4.70

5.10

5.50

6.00

22×35

22×40

22×45

20×35

20×40

22×30

20×30

22×25

φ20

φ22

22×20

φ25

25×20

30×20

25×25

35×20

25×30

25×35

25×40

25×45

25×50

30×25

30×30

30×35

30×40

30×45

30×50

35×25

35×30

35×35

35×40

35×45

35×50

φ30

φ35

3300

4700

6800

8200

10000

12000

15000

18000

22000

27000

33000

39000

47000

56000

68000

μF

φ25

25×20

30×20

25×25

35×20

25×30

25×35

25×40

25×45

25×50

30×25

30×30

30×35

30×40

30×45

35×25

35×30

35×35

35×40

35×50

φ30

φ35

1500

2200

3300

3900

4700

5600

6800

8200

10000

12000

15000

18000

22000

27000

33000

Max. permissible ripple current

（Ar.m.s.

120Hz, 105℃）

Max. permissible ripple current

（other

than 120Hz）

See page 66.

推荐资源

你有没有自制无线天线的经历呢？最远到多远？: 无意中浏览网站，看到了这个神器：:lol 144112 心中顿生敬意。大家有没有自制天线的经历，最远到多远呢？:pleased: 144113 144114 eeworldpostqq...; john_wang 无线连接

如何解决TFTLCD与外扩Flash的矛盾: STM32高密度型器件是可以与TFT LCD相连的，其中占用了FSMC一些控制线（如NEx，NOE等），现在要做的项目是一个触屏手持设备，需要做界面，含有图片较多（以数组形式存放的话，一幅256色图片 ......; zhaoxu001 stm32/stm8

美国电网: 请问美国家用电网的电压大小是多少，频率是多少？...; xiaoyuanlu 电源技术

小功率LED驱动电源非隔离技术的拓扑方案: 介绍关于小功率段1-30W之间的LED驱动应用非隔离技术方面的介绍。阻容降压：1. 阻容降压的原理和应用：电容降压实际上是利用容抗限流，而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两 ......; qwqwqw2088 LED专区

基于GD32的仓库温度报警系统---DS18B20资料细读: DS18B20的硬件特性: DS18B20芯片内部集成了64bit容量的ROM(只读存储器),存储每一个DS18B20唯一的序列码,所以MCU将来要想访问某个DS18B20,只需通过ROM中的序列码即可访问,也就是MCU只需向 ......; yin_wu_qing GD32 MCU

英特尔调转船头：由处理器驶向SoC（一）: 全球最大的半导体厂商大举挺进AV产品等主处理器市场。美国英特尔已制定了面向电视、蓝光录像机、机顶盒（STB）等台式AV产品以及路由器等网络设备等各种用途，正式开展SoC（system on a chip）☆ ......; clark 单片机

支撑产业的落后是半导体产业发展瓶颈

　　没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业，只有半导体支撑产业形成完善的配套体系，才能推动半导体行业高速发展。　　我国在“十一五”规划中特别提到，要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括：集成电路产业年均增长率在30%以上，到2010年将实现3000亿元的销售额，约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。...[详细]
CEVA被评为全球可授权DSP技术的领导厂商

CEVA公司宣布，权威市场研究机构Gartner公司已将CEVA评为全球可授权DSP技术的领导厂商，在2007年的数字信号处理器授权市场取得超过60%的占有率。Gartner在“市场份额：2007年全球半导体知识产权”的报告中提到，CEVA的总体DSP授权市场份额每年增长10%，使到CEVA...[详细]
超声便携式设备的系统划分以及未来趋势

　　上世纪90年代初，便携式电话风靡一时，随着电子技术的长足发展，现今的手机除了可以发送电子邮件和短信，还能拍照、查询股票价格、安排会议；当然，也可以同世界上任何地方的任何人通话。同样在医疗领域中，以前所谓的便携式超声系统曾装载在手推车上以便于拖拽；而今天的医用超声系统也在持续向小型化发展，并且被医生们称为“新型听诊器”。　　　　超声系统的便携式趋势　　由于超声的优异功用，市...[详细]
微型低功耗大容量心电记录仪的研制

常规心电图记录仪是医生诊断心脏疾病的主要手段之一，但它仅能记录短暂心搏情况。由于在相当多的情况下难以记录到即刻发作时的心电图改变，导致无法作出正确的诊断和治疗。因此对病人进行长时间的心电图记录有着极其重要的临床价值。而微型动态心电记录仪能及时记录到普通心电图检测时病人不易出现的短暂异常心电活动，为临床分析病情提供重要客观依据。目前的便携式心电记录仪存储容量偏小，最多只能记录八小时的心电数据；而微...[详细]
助听器的基本结构---放大器

　　一、放大器的作用由于麦克风已经把声音转换成电压和电流，放大器的主要作用是把小的电信号变成一个大的电信号。放大器有三种放大方式：第一，电压放大，电流不变；第二，电流放大，电压不变；第三，电压和电流都放大。这三种方式都将电信号的能量放大了，这种能量来自于助听器电池。放大器配合滤波器性能，可使其具有助听器所需的频率特性。　　二、放大器的构造　　用于放大的基本元件是晶体管。为了获得更好的放大...[详细]
IBM将投资15亿美元开发纳米芯片技术

　　据国外媒体报道，纽约州州长大卫·帕特森（DavidPaterson）周二透露，IBM将在纳米芯片项目投资15亿美元，包括在该州一个边远地区建立一家研发中心，目前地址还未选定。　　帕特森在声明中称，纽约州将向IBM提供1.4亿美元的经济发展补助金。多年来该州一直在寻找一条振兴边远地区经济的途径，这位民主党州长称，IBM的投资将创造1000个高科技工作岗位。　　除了建立新的研发中心外，...[详细]
新型CAN智能电动执行器的设计(图)

　　控制器局部网CAN(ControllerAreaNetwork)属于现场总线的一种，是一种有效支持分布式控制或实时控制的串行通信网络，被公认为是最有前途的现场总线之一。　　在工业控制系统中，电动执行器是电动单元组合仪表中一个很重要的执行单元。它由控制电路和执行机构两个在电路上完全独立的部分组成，可接收来自调节器的电控信号，将其线性地转换成机械转角或直线位移，用来操纵风门、挡板、阀门等...[详细]
基于DSP的彩色TFT-LCD数字图像显示技术研究(图)

　　随着计算机技术的飞速发展，嵌入式图像系统广泛应用于办公设备、制造和流程设计、医疗、监控、卫生设备、交通运输、通信、金融银行系统和各种信息家电中。所谓嵌入式图像系统，是指以图像应用为中心，以计算机技术为基础，软件、硬件可裁减，对功能、可靠性、成本、体积、功耗等严格要求的专用计算机系统。嵌入式图像系统对图像显示技术提出了各种严格要求，必须选择合适的显示器，设计出合理的显示控制方法。　　系统...[详细]
移动WiMax参数指标及射频测试浅析

　　WiMax技术要在具体的应用场景中体现出自身的优势，才能得到市场的认可，这就需要通过应用测试来衡量系统的性能参数。根据WiMax论坛制定的系统参数指标以及测试要求，WiMax的测试方法分为三部分：协议分析、无线射频分析、传输性能分析。本文主要介绍移动WIMAX参数指标，介绍了一些针对802.16d(2004)、802.16e(2005)的标准信号射频性能测试。　　WiMAX简介...[详细]
TD-SCDMA终端射频测试技术研究

　　前言　　TD-SCDMA移动通信标准是我国具有自主知识产权的世界第三代移动通信标准，以时分双工、智能天线、联合检测等诸多核心技术成为世界移动通信领域的亮点。在我国，无线电管理部门所规划的155MHz的核心频段，极大地推动了TD-SCDMA技术在近几年的快速发展，专家估计:TD-SCDMA所带来的商业效益和社会效益是难以估量的。但是，TD-SCDMA技术相对WCDMA和cdma2000技...[详细]
MIPS32™ 为Broadcom 路由器添彩

MIPS科技公司今天宣布，其超标量体系结构MIPS32™74K™处理器内核成为了博通公司（BroadcomCorporation）新的Intensi-fi®XLR802.11n无线LAN（WLAN）芯片组的一部分。该新的Broadcom®解决方案提供了一个建立单或双频802.11n路由器的单一平台，具有明显的功能组合和价格优势。嵌入...[详细]
Intel：嵌入式联网设备市场是下一个“金矿”

　　随着嵌入式技术和通信技术的发展，二者之间已呈现出更多的融合趋势：一方面嵌入式设备被更多地连接到互联网上，成为互联网接入终端；另一方面这些设备之间也越来越多地实现了互联互通。自今年英特尔推出面向嵌入式领域的凌动处理器以来，英特尔的嵌入式市场战略逐渐清晰，而其与终端设备芯片厂商ARM之间的竞争也成为业界关注的焦点。英特尔DougDavis　　英特尔在北京举行嵌入式战略沟通会，英特尔...[详细]
M2M激发英特尔雄心嵌入式市场能否出现变局

　　“今年春天的时候我们又找到了第四个市场”，老道的记者往往不会因几句豪言壮语就动容。但当说此话的人出自于英特尔时，你将不得不仔细掂量这将会对今后的市场走向及格局产生怎样的影响。　　DougDavis，这个稍嫌瘦削的美国人是英特尔公司数字企业事业部副总裁、嵌入式与通信事业部总经理，他告诉电子工程世界，英特尔的CEO欧德宁认为嵌入式设备市场将来会超过100亿美元，这给英特尔带来了更大的市场机...[详细]
Intel：嵌入式联网设备市场是下一个“金矿”

　　随着嵌入式技术和通信技术的发展，二者之间已呈现出更多的融合趋势：一方面嵌入式设备被更多地连接到互联网上，成为互联网接入终端；另一方面这些设备之间也越来越多地实现了互联互通。自今年英特尔推出面向嵌入式领域的凌动处理器以来，英特尔的嵌入式市场战略逐渐清晰，而其与终端设备芯片厂商ARM之间的竞争也成为业界关注的焦点。　　　　　　英特尔数字企业事业部副总裁、嵌入式及通信事业部总经理Dou...[详细]
汽车电子功率MOSFET技术

过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220和TO247封装。同时，电动车窗、燃油喷射、间歇式雨刷和巡航控制等应用已逐渐成为大多数汽车的标配，在设计中需要类似的功率器件。在这期间，随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及，车...[详细]

小广播

热搜元器件