P10NK60Z,P10NK60Z pdf中文资料,P10NK60Z引脚图,P10NK60Z电路-Datasheet-电子工程世界

P10NK60Z: 产品描述10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小913KB，共24页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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P10NK60Z概述

10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

10 A, 600 V, 0.75 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

P10NK60Z规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
最小击穿电压	600 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接	隔离
元件数量	1
晶体管应用	开关
晶体管元件材料	硅
通道类型	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源
最大漏电流	10 A
额定雪崩能量	300 mJ
最大漏极导通电阻	0.7500 ohm
最大漏电流脉冲	36 A

P10NK60Z相似产品对比

	P10NK60Z	B10NK60Z-1	B10NK60Z	W10NK60Z	STP10NK60Z/FP	P10NK60ZFP
描述	10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量	3	3	3	3	3	3
最小击穿电压	600 V	600 V	600 V	600 V	600 V	600 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔
端子涂层	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡
端子位置	单一的	单一的	单一的	单一的	单一的	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接	隔离	隔离	隔离	隔离	隔离	隔离
元件数量	1	1	1	1	1	1
晶体管应用	开关	开关	开关	开关	开关	开关
晶体管元件材料	硅	硅	硅	硅	硅	硅
通道类型	N沟道	N沟道	N沟道	N沟道	N沟道	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源	通用电源	通用电源	通用电源	通用电源	通用电源
最大漏电流	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A
额定雪崩能量	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ
最大漏极导通电阻	0.7500 ohm	0.7500 ohm	0.7500 ohm	0.7500 ohm	0.7500 ohm	0.7500 ohm
最大漏电流脉冲	36 A	36 A	36 A	36 A	36 A	36 A

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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