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P4KE62CA

产品描述保护瞬态电压抑制器
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P4KE62CA概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称:保护瞬态电压抑制器


产品型号:P4KE62CA


产品参数:


Power Dissipation功耗:Ppp:400W


Reverse Stand-off Voltage反向电压:VRWM:53V


Breakdown Voltage击穿电压:VBR@IT:Min:58.9V,Max:65.1V


Test Current:IT:1mA


Reverse Leakage反向漏:IR@VRWM:UNI:1μA,


Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp:85V


Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp:5A



封装:DO-41



P4KE62CA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压65.1 V
最小击穿电压58.9 V
击穿电压标称值62 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压85 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压53 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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P4KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• Typical I
R
less than 1µA above 10V
0.205(5.2)
0.160(4.1)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
6.8 to 440 Volts
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types
Electrical characteristics apply in both directions.
R ating
Peak Power D i ssi pati on at T
A
=25
O
Symbol
P
P K
R
θ
JA
I
F S M
T
J
,T
S T G
1.0(25.4)MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
Value
400
60
40
-65 to +175
Uni ts
Watts
O
C , Tp=1ms (Note 1)
Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)
Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on
Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)
Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range
C/W
Amps
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig.
2.
2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in
2
(40mm
2
).
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
STAD-SEP.02.2008
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