电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

P4SMA22CA

产品描述瞬态电压抑制二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小181KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 在线购买 详细参数 全文预览

P4SMA22CA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
P4SMA22CA - - 点击查看 点击购买

P4SMA22CA概述

瞬态电压抑制二极管

功能特点

产品名称:瞬态电压抑制二极管


产品型号:P4SMA22CA


产品参数:


功耗Ppp:400W


反向电压VRWM:18.8V


击穿电压VBR@IT:Min=20.9V Max=23.1V


测试电流It:1mA


反向漏电IR@VRWM :1μA


Max. Clamp Voltage 10/1000μs Vc @ Ipp :30.6V


脉冲电流峰值Ipp :14A



封装:SMA/DO-214AC



P4SMA22CA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压23.1 V
最小击穿电压20.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压18.8 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

P4SMA22CA文档预览

下载PDF文档
P4SMA SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
FEATURES
• Low profile package
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0
.
012(0
.
305)
0
.
006(0.152)
0.062(1.60)
0.047(1.20)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.181(4.60)
0.157(4.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
6.8 to 250 Volts
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Built-in strain relief
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
0.060(1.52)
0.030(0.76)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMA6.8 thru types P4SMA250.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
R ating
Peak Pulse Power D i ssi pati on on T
A
= 25
O
C (Notes 1,2,5, Fi g.1)
Peak Forward Surge C urrent per Fi g.5 (Note 3)
Peak Pulse C urrent on 10/1000
μ
s waveform(Note 1)Fi g.2
Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r (NOTE 2)
Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range
Symbol
P
P P M
I
F S M
I
P P M
R
θ
JA
T
J
,T
S T G
Value
400
40
see Table 1
70
-55 to +150
Uni ts
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
O
C per Fig. 2.
2. Mounted on 5.0mm
2
copper pads to each terminal.
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
4. Lead temperature at 75
O
C = T
L
.
5. Peak pulse power waveform is 10/1000μS.
March 12,2012-REV.05
PAGE . 1
终于发现国外论坛的内容也和我的一样,越来越水了。
近期一直在关注一些国外的论坛,之前讨论的氛围非常不错,近2年发现内容越来越水了,尤其是回复的内容让人看的哭笑不得,下面我翻译一个供大家欣赏。 有一个网友提问”嗨,伙计们,我在 ......
littleshrimp 聊聊、笑笑、闹闹
关于mos作开关的缺陷
例如nmos 在gs为0时,d向s流的电流可以阻断,但由于寄生二极管的存在,导致电流由s向d极流。简而言之,mos作开关时,只能可靠截止一边,无法像一般开关正向反向都可以可靠截止。所以是否有一种 ......
llnn 模拟电子
【瑞萨 CPK-RA2L1 开发板】测评3-ADC采集波形显示
用KEIL开发瑞萨有时候遇到莫名其妙问题,跑飞;换成e2 studio就可以,这次用e2 studio开发 原理图上ADC输入好几个,排针没焊接 660934 ADC属性配置,单次扫描, 单次描模式: 在单 ......
222zhumingming 瑞萨MCU/MPU
【瑞萨 CPK-RA2L1 开发板】测评4-DAC和ADC回环正弦波显示
瑞萨这个芯片具有DAC功能,还是很强大,RA2L1有一个输出通道,分辨率:12-bits 660941 如果我们直接通过输入一个12位的数字值,之后进行对DAC的触发源进行操作时,那么我们对软件的可操作性 ......
222zhumingming 瑞萨MCU/MPU
【贝能高性价比ATSAMD51评估板】MPLAB开发环境搭建体验
前言 前面我们体验了使用MDK进行开发,这次我们体验官方的开发环境,MPLAB X IDE+XC32编译器+MPLAB Harmony v3是官方提供的工具链。 准备资料包 http://www.burnon.com/ 服务支持- ......
qinyunti Microchip MCU
LTspice 绘图小技巧
快捷键设置 Tool ->Control Panel Drafting option ->Hot key 以上这些快捷键都是可以自定义的,所以可以搞成自己喜欢的样子,我觉得最好还是记一下,倒时候换电脑时 ......
xutong 模拟电子
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved