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P6KE110C

产品描述瞬态电压抑制二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小188KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P6KE110C概述

瞬态电压抑制二极管

功能特点

产品名称:瞬态电压抑制二极管


产品型号:P6KE110C


产品参数:


功耗Ppp:600W


反向电压VRWM:89.2V


击穿电压VBR@IT:Min=99V Max=121V


测试电流It:1mA


反向漏电IR@VRWM :1μA


Max. Clamp Voltage 10/1000μs Vc @ Ipp :158V


脉冲电流峰值Ipp :3.8A


封装:DO-15



P6KE110C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压121 V
最小击穿电压99 V
击穿电压标称值110 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压158 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压89.2 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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P6KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
6.8 to 550 Volts
Recongnized File # E210467
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Typical IR less than 1µA above 10V
• 600W surge capability at 1ms
• Excellent clamping capability
0.300(7.6)
0.230(5.8)
1.0(25.4)MIN.
0.034(0.86)
0.028(0.71)
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-15 Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram
1.0(25.4)MIN.
0.140(3.6)
0.104(2.6)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Power Dissipation on T
A
=25
O
C, T
P
= 1ms (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PK
R
θJA
R
θJC
I
FSM
T
J
,T
STG
Value
600
70
30
100
-65 to +175
Units
Watts
O
C/W
Amps
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2.
2. Mounted on 48cm
2
FR-4 PCB.
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
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