Mixer Diode, Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hewlett Packard Co |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最小击穿电压 | 70 V |
配置 | SINGLE |
最大二极管电容 | 2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 1 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大输出电流 | 0.001 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散 | 0.25 W |
脉冲输入最大功率 | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 70 V |
最大反向电流 | 0.2 µA |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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