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GN1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小199KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GN1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM),

GN1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间1 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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GN1A THRU GN1M, GN13
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1300 Volts
Forward Current -
1.0 Ampere
Features
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Glass passivated chip junction
High temperature soldering:
260 /10 seconds at terminals
Mechanical Data
Case:
SMA molded plastic
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.004 ounce, 0.118 gram
D IM E N S IO N S
D IM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
in c h e s
M in .
0 .2 1 6
0 .1 7 6
0 .0 9 4
0 .1 7 0
0 .0 3 9
0 .0 8 0
0 .0 6 8
0 .1 1 2
0 .0 5 7
-
0 .0 1 6
0 .1 0 9
0 .1 0 5
0 .0 7 8
M a x .
0 .2 2 6
0 .1 8 2
0 .1 0 0
0 .1 7 6
0 .0 5 5
0 .0 8 1
0 .0 8 3
0 .1 1 8
-
0 .0 1 8
-
0 .1 1 5
0 .1 0 7
0 .0 8 1
M in .
5 .4 8
4 .4 8
2 .4 0
4 .3 3
1 .0 0
2 .0 3
1 .7 2
2 .8 5
1 .4 4
-
0 .4 0
2 .7 7
2 .6 7
2 .0 0
m m
M a x .
5 .7 4
4 .6 3
2 .5 5
4 .4 8
1 .4 0
2 .0 7
2 .1 0
3 .0 0
-
0 .4 5
-
2 .9 3
2 .7 3
2 .0 5
N o te
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
GN1A
GN1B
GN1D
GN1G
GN1J
GN1K
GN1M
GN13
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
=100
Peak forward surge current
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25
T
A
=125
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
JL
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30.0
1.10
5.0
200.0
2.0
15.0
30.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1300
910
1300
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
A
S
F
/W
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Maximum thermal resistance (Note 3)
Operating and storage temperature range
T
J
, T
STG
-55 to +150
Notes:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
(2) Measured at 1.0MHz and applied V
R
=4.0 volts
(3) 8.0mm
2
(0.013mm thick) land areas
1
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