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GN1B-S

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小586KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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GN1B-S概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

GN1B-S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

GN1B-S文档预览

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GN1A-S thru GN1M-S
1.0 Amp. Surface Mount Glass Passivated Rectifiers
Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief, ideal for automated placement
Easy pick and place
Glass passivated chip junction
High temperature soldering:
260
o
C/10 seconds at terminals
Mechanical Data
Case: New SMA molded plastic over glass passivated chip
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method
2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Weight: 0.004 ounce, 0.118 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
See Fig.1
Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage @ 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@ T
A
=25 C
@ T
A
=125
o
C
o
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
T
STG
GN1A-S
50
35
50
GN1B-S
100
70
100
GN1D-S
200
140
200
GN1G-S
400
280
400
1.0
30.0
1.1
5.0
200
2.0
15
-55 to +150
-55 to +150
GN1J-S
600
420
600
GN1K-S
800
560
800
GN1M-S
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
uA
uA
uS
pF
o
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating temperature range
Storage temperature range
Notes:
C
C
o
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied V
R
=4.0 Volts
281
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