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GN3D

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GN3D概述

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)

GN3D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.15 V
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
Base Number Matches1

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GN3A THRU GN3M
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1000 Volts
Forward Current -
3.0 Amperes
Features
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Plasitc package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Glass passivated junction
High temperature soldering:
260 /10 seconds at terminals
Mechanical Data
Case:
SMC molded plastic
Terminals:
Solder plated solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.007 ounce, 0.25 gram
D IM E N S IO N S
D IM
A
B
C
D
H
J
K
P
S
in c h e s
M in .
0 .2 6 0
0 .2 2 0
0 .0 7 5
0 .1 1 5
0 .0 0 2 0
0 .0 0 6
0 .0 3 0
M a x.
0 .2 8 0
0 .2 4 0
0 .0 9 5
0 .1 2 1
0 .0 0 6 0
0 .0 1 2
0 .0 5 0
M in .
6 .6 0
5 .5 9
1 .9 0
2 .9 2
0 .0 5 1
0 .1 5
0 .7 6
m m
M a x.
7 .1 1
6 .1 0
2 .4 1
3 .0 7
0 .1 5 2
0 .3 0
1 .2 7
N o te
0 .0 2 0 R E F
0 .3 0 5
0 .3 2 0
0 .5 1 R E F
7 .7 5
8 .1 3
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
GN3A
GN3B
GN3D
GN3G
GN3J
GN3K
GN3M
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
=75
Peak forward surge current,
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25
T
A
=125
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
R
JL
JA
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
100.0
1.20
5.0
250.0
2.5
60.0
13.0
47.0
-55 to +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
A
S
F
/W
Typical reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Maximum thermal resistance (Note 3)
Operating and storage temperature range
Notes:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
(3) 8.0mm
2
(0.013mm thick) land areas
T
J
, T
STG
1
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