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PG200R_04

产品描述2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小32KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PG200R_04概述

2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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DATA SHEET
PG200R~PG2010R
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
DO-15
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Glass passivated junction
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Fast switching for high efficiency.
• Both normal and Pb free product are available :
.034(.86)
.028(.71)
.300(7.6)
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.230(5.8)
MECHANICALDATA
Case: Molded plastic, DO-15
Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-202,Method 208
Polarity: Color Band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram
1.0(25.4)MIN.
.140(3.6)
.104(2.6)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 2 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
A
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
A
= 1 0 0
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B OL
P G2 0 0 R P G2 0 1 R P G2 0 2 R P G2 0 4 R P G2 0 6 R P G2 0 8 R P G2 0 1 0 R
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2 .0
70
1 .3
5 .0
300
150
35
40
- 5 5 TO + 1 5 0
O
U N IT S
V
V
V
A
A
V
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
R
uA
T
RR
C
J
Rθ J A
T
J
, T
S TG
250
500
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
STAD-JUN.29.2004
PAGE . 1
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