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HK851X

产品描述智能传感器_光电传感器_普通光耦
产品类别传感器   
文件大小659KB,共9页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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HK851X概述

智能传感器_光电传感器_普通光耦

HK851X规格参数

参数名称属性值
PRODUCTMODELHK851X
PRODUCTTYPE普通光耦
TOTALPOWER200mW
FORWARDCURRENT50
ISOLATIONVOLTAGE5000
COLLECTOR350
CTR50-600
RISETIME4
PRODUCTDESCRIPTIONDC输入高耐压光耦
POSTTINGDIP-4
CRTIME202004
RN1

HK851X文档预览

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华 润半导½
HK851x
四脚光电耦合器,高压晶½管输出
概述
CR Semiconductor
HK851X是一款由一个发光二极管和一个高压光电晶½管组成的光电耦合器。四引脚封装,三种½式(DIP、DIP-
M、SMD)。
特性
电流½换比(CTR)范围:
50%~600% ( I
F
=5mA, V
CE
=5V )
输入-输出隔离电压高(Viso=5000
V rms )
集电极-发射极击穿电压
BV
CEO
≥350V
UL
认证(No.
E465130)
VDE
认证
(No. 40042139)
CQC
认证
(No. CQC16001152669)
2
DIP -M-4
3
4
2
DIP -4
3
4
应用
电源电路接口
固态继电器控制电路,直流马达控制电路
电话线路接口
可编程控制器
2
S MD-4
3
4
结构原理图和封装
1
2
极限参数
(T
A
=25°C)
4
3
脚½配½
1
阳极
2
阴极
4
3
集电极
发射极
输入
输出
总功耗
隔离电压
*
工½温度
存储温度
焊接温度
**
参数
正向电流
反向电压
功耗
集电极功耗
集电极电流
集电极-发射极电压
发射极-集电极电压
符号
I
F
V
R
P
D
P
C
I
C
V
CEO
V
ECO
Ptot
Viso
Topr
Tstg
Tsol
额定值
50
6
70
150
50
350
7
200
5000
-55~+100
-55~+125
260
单½
mA
V
mW
mW
mA
V
V
mW
Vrms
°C
°C
°C
*
交流测试模式,条件是
1
分钟内,相对湿度=
40 ~ 60%
,测试时出腿
1
2
连接一起,出腿
3
4
连接一起。
**
焊接时间在
10
秒内。.
©
China Resources Semiconductor
Proprietary & Confidential
1
FEB. 24, 2020
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