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M2CZ02C30B15

产品描述功率器件_BJT&DIODES_肖特基二极管
产品类别肖特基二极管   
文件大小199KB,共2页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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M2CZ02C30B15概述

功率器件_BJT&DIODES_肖特基二极管

M2CZ02C30B15规格参数

参数名称属性值
PARTNUMBERM2CZ02C30B15
GENERALDESCRIPTIONplanerSBD
PACKAGEDie
IFA0.2
VRRMMIN35
VRRMTYPE40
VFMAX0.6
VFTYPE0.52
IRMAX1(10V)
IRTYPE0.35(10V)
TRRMAX/
TRRTYPE/
IFSMMIN1
TJMAX125
TECHLEVEL1
CRTIME202004
RN17

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肖特基二极管芯片
M2CZ02C30B15
产品概述
R
硅 N 型外延工艺肖特基二极管,终端采用具保护环结构;具有功耗小、效率高、抗 ESD 及浪涌
½力强的特点,广泛应用于开关电源、极性保护电路等各类电子线路中
芯片数据
芯片示意图
芯片版图尺寸(mm×mm)
芯片厚度(µ
m)
键合区面积
(mm
2
)
正面电极表层金属
电极总厚度
背面电极表层金属
电极总厚度
硅片直径(mm)
装片要求
0.32×0.32
150
0.23×0.23
铝/4.9µ
m
金/2.1um
φ150
共晶
极限值(SOD123 下)
除非另有规定,T
a
= 25℃
参 数 名 称
可重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流
结温
贮存温度
符号
V
RRM
V
R
I
F
AV
I
FSM
T
j
T
stg
额定值
35
35
200
1
125
-55½125
单½
V
V
mA
A
电参数
除非另有规定,T
a
= 25℃
规 范 值
参 数 名 称
正向压降
反向漏电流
反向击穿电压
符 号
测 试 条 件
最小
V
F
I
R
VR
I
F
=200mA
V
R
=10V
V
R
=50uA
35
典型
最大
0.6
1
V
μA
V
单½
无锡华润华晶微电子有限公司
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