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M2CR10K2C

产品描述功率器件_BJT&DIODES_快恢复二极管
产品类别快恢复二极管   
文件大小304KB,共2页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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M2CR10K2C概述

功率器件_BJT&DIODES_快恢复二极管

M2CR10K2C规格参数

参数名称属性值
PARTNUMBERM2CR10K2C
GENERALDESCRIPTIO1
PACKAGEdie
IFA12.5
VRRMMIN200
VRRMTYPE260
VFMAX0.95
VFTYPE0.91
IRMAX10
TRRMAX25
TRRTYPE23
IFSMMIN200
TEACHLEVEL/
CRTIME202004
RN28

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超快恢复二极管芯片
M2CR10K2C
概 述
R
该产品为是采用硅外延工艺生产的超快恢复二极管芯片,具有较½的反向漏电,适合塑料封装,用
½高速开关应用。
芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×
mm)
芯片厚度(µ
m)
键合区尺寸
(mm×
mm)
正面电极金属/厚度
背面电极金属
硅片直径(mm)
装片要求
极限值(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
反向重复峰值电压
正向平均电流
正向不重复峰值浪涌电流(8.3ms 单波)
最高工½结温
芯片贮存温度
电特性(除非另有规定,T
a
= 25℃)
规 范 值
参数名称
瞬态正向压降
瞬态反向漏电流
反向恢复时间
符号
V
F
I
R
V
R
=200V,T
a
= 100℃
trr
I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A
25
150
测 试 条 件
最小
I
F
=10A
V
R
=200V,T
a
= 25℃
典型
最大
0.95
10
V
μA
μA
ns
单½
符号
V
RRM
I
F
AV
I
FSM
T
j
T
stg
额定值
200
10
150
-40½150
-40½150
单½
V
A
A
TO-3PN
推荐的封装½式
TO-220AC
2.65×2.65
220
2.3×2.3
铝/6µ
m
φ150
焊料
无锡华润华晶微电子有限公司
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