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3DD127DT

产品描述功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管
产品类别晶体管   
文件大小127KB,共3页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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3DD127DT概述

功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管

3DD127DT规格参数

参数名称属性值
PART3DD127DT
GENERALDESC1
PACKAGEdie
POLARITYN
PTA1.25
IC2.5
VCB01700
VCB02780
VCE01400
VCE02450
VEBO19
VEBO215
VCESAT11
VCESAT20.5
HFE115-25
HFE220-25
TS13.0-5.0
TS23.0-4.5
SPECIAL/
SPECIAL2/
TECH/
CRTIME202005
RN84

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硅三重扩散
NPN
双极型晶½管芯片
R
3DD127DT
产品概述
该芯片在采用适½的封装工艺以后,可以½成多种封装½式的硅
NPN
功率晶½管,主要用于电
子镇流器、电子节½灯的功率开关电路。
芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
芯片厚度(µm)
键合区面积
2
(µm )
基 区
发射区
2.13×2.13
260
540×290
851×360
铝/5.5µm
φ125 或φ150
焊料
单 ½
V
V
V
A
W
TO-126F
推荐的封装½式
正面电极金属/厚度
背面电极金属
硅片直径(mm)
装片要求
极限值
(除非另有规定,Ta=
25℃)
参 数 名 称
集电极-基
极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
结温
贮存温度
Ta=25℃
Tc=25℃
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
额定值
700
400
9
2.5
1.25
50
150
-55½150
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/3
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