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3DD15133D

产品描述功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管
产品类别晶体管   
文件大小110KB,共3页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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3DD15133D概述

功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管

3DD15133D规格参数

参数名称属性值
PART3DD15133D
GENERALDESC1
PACKAGEdie
POLARITYN
PTA0.8
IC1.3
VCB01800
VCB02900
VCE01450
VCE02500
VEBO19
VEBO215
VCESAT10.8
VCESAT20.4
HFE120-35
HFE220-30
TS12.0-4.0
TS22.5-3.5
SPECIAL/
SPECIAL2/
TECH/
CRTIME202005
RN76

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硅三重扩散
NPN
双极型晶½管芯片
R
M3DD15133D
产品概述
该芯片在采用适½的封装工艺以后,可以½成多种封装½式的硅
NPN
功率晶½管,主要用于手
机充电器、电子变压器的功率开关电路。
芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
芯片厚度(µm)
键合区尺寸
(µm×µm)
基 区
发射区
1.33×1.33
230
180×160
170×143
/ 4.5
金/银
φ150
共晶
正面电极金属/厚度(µm)
背面电极金属
硅片直径(mm)
装片要求
极限值
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
额定值
800
450
9
1.3
2.6
0.65
1.3
0.8
150
-55½150
单 ½
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
W
推荐的封装½式
TO-92
电特性
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
符 号
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
测 试 条 件
V
CB
=800V, I
E
=0
V
CE
=450V, I
B
=0
V
EB
=9V, I
C
=0
I
C
=0.1mA
I
C
=1mA
I
E
=0.1mA
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
单½
mA
mA
mA
V
V
V
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/3
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