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3DD1173TA

产品描述功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管
产品类别晶体管   
文件大小180KB,共2页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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3DD1173TA概述

功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管

3DD1173TA规格参数

参数名称属性值
PART3DD1173TA
GENERALDESC1
PACKAGEdie
POLARITYN
PTA1.3
IC2
VCB01700
VCB02800
VCE01450
VCE02480
VEBO19
VEBO217
VCESAT11
VCESAT20.5
HFE120-40
HFE220-40
TS12.0-5.0
TS22.0-5.0
SPECIAL/
SPECIAL2/
TECH/
CRTIME202005
RN73

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NPN
½频放大双极型晶½管芯片
R
M3DD1173TA
概 述
该芯片在采用适½的封装工艺后,可½成多种封装½式的功率晶½管,主要用于电子镇流器、电子节½
灯的功率开关电路。
芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
芯片厚度(µm)
键合区尺寸
(µm×µm )
背面电极金属
硅片直径(mm)
装片要求
极限值
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25℃
耗散功率
Tc=25℃
结温
贮存温度
电特性
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比的静态值
小电流下
h
FE1
与大电流下
h
FE2
比值
集电极-发射极饱和电压
基极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
特征频率
a:
脉冲测试
tp≤300μs,δ≤2%
符 号
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FEa
h
FE1/
h
FE2
V
CE sata
V
BE sata
t
s
t
r
t
f
f
T
测 试 条 件
V
CB
=700V, I
E
=0
V
CE
=450V, I
B
=0
V
EB
=9V, I
C
=0
I
C
=0.1mA
I
C
=1mA
I
E
=0.1mA
V
CE
=5V, I
C
=0.5A
h
FE1
:V
CE
=5V, I
C
=5mA
h
FE2
:V
CE
=5V I
C
=0.5A
,
I
C
=1A, I
B
=0.25A
I
C
=1A, I
B
=0.25A
UI9600,I
C
=0.25A
V
CE
=10V, I
C
=0.1A
f=1MHz
5
规 范 值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
450
9
15
50
0.75
0.9
0.3
0.9
2
0.8
1.2
5
1.5
1.5
V
V
μs
μs
μs
MHz
单½
mA
mA
mA
V
V
V
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
额定值
700
450
9
1.8
1.25
50
150
-55½150
单 ½
V
V
V
A
W
发射区
1.73×1.73
240±15
200×380
200×480
铝/4.5
φ150
焊料
推荐的封装½式
正面电极金属/厚度(µm)
TO-126
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/1
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