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M3CG3906

产品描述功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管
产品类别晶体管   
文件大小197KB,共3页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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M3CG3906概述

功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管

M3CG3906规格参数

参数名称属性值
PARTM3CG3906
GENERALDESC1
PACKAGEdie
POLARITYP
PTA0.225
IC0.3
VCB01-40
VCB02-70
VCE01-40
VCE02-50
VEBO1-5
VEBO2-8
VCESAT1-0.4
VCESAT2-0.2
HFE1100-300
HFE2100-300
TS1/
TS2/
SPECIAL/
SPECIAL2/
TECH/
CRTIME202005
RN53

M3CG3906文档预览

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硅外延
PNP
双极型晶½管芯片
R
M3CG3906
产品概述
该芯片在采用适½的封装工艺以后,可以½成多种封装½式的硅
PNP
通用晶½管,可用于通用
开关和放大电路。
芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
芯片厚度(µm)
键合区尺寸
(µm×µm)
基 区
发射区
0.27×0.27
180
75×75
85×85
铝/3.0
φ150
共晶
单 ½
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
推荐的封装½式
正面电极金属/厚度(µm)
背面电极金属
硅片直径(mm)
装片要求
极限值
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
Ta=25℃
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
额定值
-40
-40
-5
-200
-400
-100
-200
225
150
-55½150
SOT-23
电特性(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
符 号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
测 试 条 件
V
CB
=-30V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
I
C
=-0.1mA
I
C
=-1mA
I
E
=-0.1mA
最小 典型 最大
-50
-50
-40
-40
-5
单½
nA
nA
V
V
V
无锡华润华晶微电子有限公司
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