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3DD13003H1D

产品描述功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管
产品类别晶体管   
文件大小182KB,共5页
制造商华润微(CRMICRO)
官网地址https://www.crmicro.com/
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品,可广泛应用于电动车、太阳能,汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
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3DD13003H1D概述

功率器件_BJT&DIODES_双极性晶体管

3DD13003H1D规格参数

参数名称属性值
PART3DD13003H1D
GENERALDESC1
PACKAGETO-92
POLARITYN
PTA0.8
IC1.8
VCB01700
VCB02750
VCE01400
VCE02450
VEBO19
VEBO215
VCESAT10.8
VCESAT20.25
HFE115-25
HFE220-25
TS12.0-5.0
TS23.0-4.0
SPECIAL/
SPECIAL2/
TECH/
CRTIME202005
RN37

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硅三重扩散
NPN
双极型晶½管
R
3DD13003 H1D
产品概述
3DD13003 H1D
是硅
NPN
型功率开关晶½管,该
产品采用平面工艺,
分压环
终端结构和少子寿½控制
技术,
集成了有源抗饱和½
络,提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
产品特点
开关损耗½
反向漏电流小
高温特性½
合适的开关速度
可靠性高
符 号
V
CEO
I
C
特征参数
额定值
400
1.8
0.8
单 ½
V
A
W
P
tot
(T
a
=25℃)
应用
紧凑型电子节½灯
电子镇流器
一般功率开关电路
封装
TO-92
存储条件和焊接温度
内部结构图
存放有效期
存放条件
环境温度-10℃½40℃
1
相对湿度 <85%
E
极限耐焊接热
B
C
265℃
极限值
除非另有规定,T
a
= 25℃
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
额定值
600
400
9
1.8
3.6
0.9
1.8
0.8
150
-55½150
单 ½
V
V
V
A
A
A
A
W
热 阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
R
θJA
最小值
典型值
最大值
156
单½
℃/W
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