KF8F4110/12/20/22/30/32 数据手册 V2.5
8
½微控制器
KF8F4110/12/20/22/30/32
数据手册
芯旺微电子
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KF8F4110/12/20/22/30/32 数据手册 V2.5
产品订购信息
型号
订货号
封装
FLASH
RAM
FLASH
自写
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
DATA
EEPROM
N
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
128B
内部
OSC
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
8MHz
8MHz
8MHz
8MHz
8MHz
16MHz
16MHz
16MHz
16MHz
16MHz
外部
HF/LFOSC
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
16MHz
/32.768kHz
8
½
定时
器
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
16
½
定时
器
2
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
8
½
PWM
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
CCP
内部
参考
(V)
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
2/3/4
AMP
CMP
12
½
ADC
3
10
10
12
14
14
10
12
14
14
14
10
10
12
14
14
USART
SSCI
(SPI/I2C)
/
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
RTC
工½
电压
(V)
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
2.1~5.5
内
核
版
本
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
V2
KF8F4110SB
KF8F4110
KF8F4110SD
KF8F4110TD
KF8F4112SE
KF8F4112
KF8F4112OG
KF8F4112SG
KF8F4120
KF8F4120SD
KF8F4122SE
KF8F4122
KF8F4122OG
KF8F4122SG
KF8F4122NG
KF8F4130
KF8F4130SD
KF8F4130TD
KF8F4132SE
KF8F4132
KF8F4132OG
KF8F4132SG
SOIC-8
SOIC-14
TSSOP-14
SOIC-16
SSOP-20
SOIC-20
SOIC-14
SOIC-16
SSOP-20
SOIC-20
QFN-20
SOIC-14
TSSOP-14
SOIC-16
SSOP-20
SOIC-20
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
16KB
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16KB
16KB
16KB
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
1040B
/
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
N
N
N
1
1
1
N
1
1
1
1
N
N
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
注:
1. KF8F4110SB
无
T2
资源。
芯旺微电子
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KF8F4110/12/20/22/30/32 数据手册 V2.5
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况、质量、性½、适销性或特定用途的适用性的声明或担保。上海芯旺微电子技术有限公司
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律责任,并加以赔偿。
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可½有更新的信息所替
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司联系。
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片½用注意事项
芯片的
ESD
防护措½
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片提供
8KV
的
ESD
标准的保护电路。建议用户根据芯片存
储/应用的环境采取适½静电防护措½。应注意应用环境的湿度;建议避免½用容易产生静
电的绝缘½;存放和运输应在抗静电容器、抗静电屏½袋或导电材料容器中;包括工½台在
内的所有测试和测量工具必须保证接地;
操½者应该½戴静电消除手腕环或手套,
不½用手
直接接触芯片等。
芯片的
EFT
防护措½
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片提供
4.2KV
的
EFT
标准的保护电路。½
MCU
芯片应用
在
PCB
系统时,
需要遵守
PCB
相关设计要求,
包括电源线、
地线
(包括数字/模拟电源分离,
单点/多点接地等)、复½管脚保护电路、电源和地之间的去耦电容、高½频电路单独分别
处理以及单/多层板选择等。
芯片的
LATCH-UP
防护措½
为有效防护
LATCH-UP
损坏芯片,
用户需保证在
VDD
引脚上不出现异常高压或者负压。
建议用户在
VDD
和
VSS
之间并接两个电容,大小分别为
105
和
102,电容½量靠近芯片的
VDD
引脚。
芯片的焊接
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片的焊接应按照工业标准的焊接要求,以免损坏芯片。手工
焊接时注意焊接的温度和焊接时间。
芯片的上电/断电
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片提供独立电源管脚。½
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片应
用在多电源供电系统时,应先对
MCU
芯片上电,再对系统其他部件上电;反之,断电时,
先对系统其他部件断电,再对
MCU
芯片断电。若操½顺序相反则可½导致芯片内部元件过
压或过流,从而导致芯片故障或元件性½退化。
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芯片的复½
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片提供内部上电复½。对于不同的快速上电/断电或慢速上
电/断电系统,内部上电复½电路可½失效,建议用户½用外部复½、断电复½、看门狗复
½等,确保复½电路正常工½。在系统设计时,若½用外部复½电路,建议采用三极管复½
电路、RC 复½电路。若不½用外部复½电路,建议采用复½管脚接电阻到电源,或采取必
要的电源抖动处理电路或其他保护电路。具½可参照芯片的数据手册说明。
芯片的内部时钟
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片提供内部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏
移,可½会½响时钟源精度。具½可参照芯片的数据手册说明。
芯片的初始化
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芯片提供各种内部和外部复½。对于不同的应用系统,有必要
对芯片寄存器、内存、功½模块等进行初始化,尤其是
I/O
管脚复用功½进行初始化,避免
芯片上电以后,I/O 管脚状态的不确定情况发生。
芯片的管脚
KF8F4110/12/20/22/30/32
芯片提供½范围的输入管脚电平,
用户输入高电平应大于
VIH
的最小值,½电平应小于
VIL
的最大值,以免波动噪声进入芯片。对于未½用的输入/输出
管脚,建议用户设为输入状态,并通过电阻上拉至电源或下拉至地,或设½为输出管脚,输
出固定电平并浮空。
对未½用的管脚处理因应用系统而异,
具½遵循应用系统的相关规定和
说明。
VDD
和
VSS
之间需接
104
以上的电容,电容½量靠近
MCU
芯片的
VDD
引脚。
芯片的½功耗设计
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芯片提供½功耗设计模式,
用户在实际应用中可根据应用系统
的要求采用各种不同的½功耗模式,包括系统工½时钟的选择和休眠模式的选择等等。
芯片的开发环境
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芯片提供完整的½/硬件开发环境,并受知识产权保护。选择
上海芯旺微电子技术有限公司指定的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器,必须遵循与芯
片相关的规定和说明。
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引脚示意图
8
引脚示意图:
14
引脚示意图:
16
引脚示意图:
20
引脚示意图:
注
1:管脚图中带(1)标注的外设管脚为可选切换管脚,具½操½在相应章节中描述。
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