KF8F4155
数据手册
V1.6
产品订购信息
内
½
部
参
考
(V)
摸
器
触
较
比
12
工
½
电
压
(V)
MUL/DIV
USART
CCP
/
/PWM5
HF/LFOSC(Hz)
SSCI(SPI/I2C)
RAM(Bytes)
HFOSC(Hz)
16
型
号
号
货
订
封
装
内
部
外
部
½
定
时
器
½
定
时
器
½
(
捕
捉
比
较
8
8
FLASH
PWM
ADC
)
KF8F4155OM
KF8F4155SN
KF8F4155
KF8F4155TN
KF8F4155UN
KF8F4155QP
SSOP-24
SOIC-28
TSSOP-28 8K×16
UQFN-28
LQFP-32
1040
32M
16M/
32.768k
1
4
8
1
10
6
14
2/3/4
10
N
1
1
Y
2.6~5.5
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芯片½用注意事项
芯片的
ESD
防护措½
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芯片提供满足工业级
ESD
标准保护电路。建议用户根据芯片存储/应用的环
境采取适½静电防护措½。应注意应用环境的湿度;建议避免½用容易产生静电的绝缘½;
存放和运输应在抗静电容器、
抗静电屏½袋或导电材料容器中;
包括工½台在内的所有测试
和测量工具必须保证接地;
操½者应该½戴静电消除手腕环手套,
不½用手直接接触芯片等。
芯片的
EFT
防护措½
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芯片提供满足工业级
EFT
标准的保护电路。
MCU
芯片应用在
PCB
系统时,
½
需要遵守
PCB
相关设计要求,包括电源线、地线(包括数字/模拟电源分离,单点/多点接地
等)
、复½管脚保护电路、电源和地之间的去耦电容、高½频电路单独分别处理以及单/多层
板选择等。
芯片的
LATCH-UP
防护措½
为有效防护
LATCH-UP
损坏芯片,
用户需保证在
VDD
引脚上不出现异常高压或者负压。
建议用户在
VDD
和
VSS
之间并接两个
105
和
102
大小的电容,电容½量靠近芯片的
VDD
引脚。
芯片的焊接
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芯片的焊接应按照工业标准的焊接要求,以免损坏芯片。手工焊接时注意焊
接的温度和焊接时间。
芯片的上电/断电
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芯片提供独立电源管脚。½
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芯片应用在多电源供电系统时,应先
对
MCU
芯片上电,再对系统其他部件上电;反之,断电时,先对系统其他部件断电,再对
MCU
芯片断电。若操½顺序相反则可½导致芯片内部元件过压或过流,从而导致芯片故障
或元件退化。
芯片的复½
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芯片提供内部上电复½。对于不同的快速上电/断电或慢速上电/断电系统,
内部上电复½电路可½失效,建议用户½用外部复½、断电复½、看门狗复½等,确保复½
电路正常工½。在系统设计时,若½用外部复½电路,建议采用三极管复½电路、RC 复½
电路。若不½用外部复½电路,建议采用复½管脚接电阻到电源,或采取必要的电源抖动处
理电路或其他保护电路。具½可参照芯片的数据手册说明。
芯片的内部时钟
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芯片提供内部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移,可½会½
响时钟源精度。具½可参照芯片的数据手册说明。
芯片的初始化
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芯片提供各种内部和外部复½。
对于不同的应用系统,
有必要对芯片寄存器、
内存、功½模块等进行初始化,尤其是
I/O
管脚复用功½进行初始化,避免由于芯片上电以
后,I/O 管脚状态的不确定情况发生。
芯片的管脚
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芯片提供½范围的输入管脚电平,用户输入高电平应大于
VIH
的最小值,½
电平应小于
VIL
的最大值,以免波动噪声进入芯片。对于未½用的输入/输出管脚,建议用
户设为输入状态,并通过电阻上拉至电源或下拉至地,或设½为输出管脚,输出固定电平并
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浮空。对未½用的管脚处理因应用系统而异,具½遵循应用系统的相关规定和说明。
VDD
和
VSS
之间需接
104
以上的电容,电容½量靠近
MCU
芯片的
VDD
引脚。
芯片的½功耗设计
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芯片提供½功耗设计模式,用户在实际应用中可根据应用系统的要求采用各
种不同的½功耗模式,包括系统工½时钟的选择和休眠模式的选择等等。
芯片的开发环境
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芯片提供完整的½/硬件开发环境,并受知识产权保护。选择上海芯旺微电子
有限公司指定的的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境,必须遵循与芯片相关的
规定和说明。
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