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BC807-40W

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别晶体管   
文件大小153KB,共4页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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BC807-40W概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

BC807-40W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)250
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

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BC807W
PNP General Purpose Transistor
FEATURES
Ideally suited for automatic insertion
Epitaxial planar die construction
Complementary to BC817W
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
Maximum Ratings
@ T
A
= 25℃
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Value
Unit
V
V
V
mA
mW
-50
-45
-5
-500
300
150
-55~+150
Electrical Characteristics
@
T
A
= 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector-base cut-off current
Collector-emitter cut-off current
Emitter-base cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Test Condition
I
C
=-10µA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1µA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
CE
=-20V,I
B
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-500mA,V
CE
=-1V
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA,
f=100MHz
V
CB
=-10V,f=1MHz
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
f
T
C
ob
100
-
-
80
10
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
-50
-45
-5
-0.1
-0.2
-0.1
600
-0.7
-1.2
uA
uA
uA
V
V
V
MHz
pF
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