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SS1H10-E3/61T

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):770mV @ 1A 100V,1A,VF=0.62V@1A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SS1H10-E3/61T概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):770mV @ 1A 100V,1A,VF=0.62V@1A

SS1H10-E3/61T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionDiode Schottky 100V 1A SMA Vishay SS1H10-E3/61T, SMT Schottky Diode, 100V 1A, 2-Pin DO-214AC
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.62 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

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