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S16

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A 60V 1A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小460KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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S16概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A 60V 1A

S16规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE,LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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S12 THRU S120
Surface Mount Schottky Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Guardring for overvoltage protection
● Low power losses, high efficiency
● High forward surge capability
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
Mechanical Date
Package:
SOD-123FL
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, Resistance load,
Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
V
SYMBOL
UNIT
S12
S12
20
S13
S13
30
S14
S14
40
S15
S15
50
S16
S16
60
S18
S18
80
S110
S110
100
S115
S115
150
S120
S120
200
IO
A
1.0
IFSM
Tstg
Tj
A
-55 ~+125
30
-55 ~+150
-55 ~+150
■Electrical
Characteristics
(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode @ VRM=VRRM
SYMBOL UNIT
TEST
CONDITIONS
IFM=1.0A
S12
S13
S14
S15
S16
S18
S110
S115
S120
VF
V
0.50
0.50
10
0.70
0.85
0.10
5
0.90
Ta=25℃
IRRM
mA
Ta=100℃
1/4
S-S080
Rev. 2.4, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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