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HS1M

产品描述High Efficient Rectifier 高效整流二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小1MB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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HS1M概述

High Efficient Rectifier 高效整流二极管

功能特点

产品名称:High Efficient Rectifier 高效整流二极管


产品型号:HS1M


产品特征:


Io :1.0A


VRRM :50V-1000V


耐正向浪涌电流能力高


High surge current capability


封装:模压塑料


Cases: Molded plastic



用途 :


整流用Rectifier



产品数据:


Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 反向重复峰值电压 :1000V



Average Forward Current IF(AV) 正向平均电流:1.0A



Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM 正向(不重复)浪涌电流: 30A



Junction Temperature TJ 结温 :-55 to +150 ℃



Storage Temperature TSTG储存温度 :-55 to +150 ℃



Peak Forward Voltage (IFM=1.0A) VFM 正向峰值电压 :1.7V



Peak Reverse Current (VRM=VRRM) IRRM1 (Ta=25℃) 反向峰值电流 :10μA


IRRM2 (Ta=125℃) 反向峰值电流 :100μA



Reverse Recovery time (IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A) trr 反向恢复时间 :50ns



Thermal Resistance (Typical) RθJ-A 热阻(典型) :75 ℃/W ;RθJ-L 热阻(典型) :27 ℃/W



封装: DO-214AC(SMA)


HS1M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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HS1A THRU HS1M
Surface Mount High Efficient Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Glass passivated chip junction
● High forward surge capability
● Super fast reverse recovery time
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in high frequency rectification of power
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer, and telecommunication.
Mechanical Data
Package:
DO-
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
IO
V
A
SYMBOL
UNIT
HS1A
HS1A
50
HS1B
HS1B
100
HS1D
HS1D
200
HS1F
HS1F
300
1.0
HS1G
HS1G
400
HS1J
HS1J
600
HS1K
HS1K
800
HS1M
HS1M
1000
IFSM
Tstg
Tj
A
30
-55~+150
-55 ~ +150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum reverse recovery time
SYMBOL UNIT
VF
V
TEST
CONDITIONS
IFM=1.0A
I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Ta=25℃
IRRM
μA
Ta=125℃
100
HS1A
HS1B
HS1D
HS1F
HS1G
HS1J
HS1K
HS1M
1.0
1.3
1.7
T
RR
ns
50
5
75
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
@ VRM=VRRM
1/4
S-S062
Rev. 2.3, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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