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MMBT5551

产品描述额定功率:300mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:160V 晶体管类型:NPN NPN 160V 600mA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小363KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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MMBT5551概述

额定功率:300mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:160V 晶体管类型:NPN NPN 160V 600mA

MMBT5551规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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MMBT5551
 
RoHS
 
COMPLIANT
NPN General Purpose Amplifier
Features
●Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating
●Moisure Sensitivity Level 1
●Marking:G1
Maximum Rantings (Ta=25℃)
Item
Collector-Emitter Voltage*
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operation Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
STG
Unit
V
V
V
mA
mW
Conditions
I
C
=1.0mAdc, I
B
=0
I
C
=100uAdc, I
E
=0
I
E
=10uAdc, I
C
=0
Value
160
180
6.0
600
300
-55 to +150
-55 to +150
1/5
S-S1516
Rev.1.1, 24-Jan-19
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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