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SS36B

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):700mV @ 3A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小438KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
下载文档 详细参数 全文预览

SS36B概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):700mV @ 3A

SS36B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY

SS36B文档预览

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SS32B THRU SS320B
Surface Mount Schottky Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Guardring for overvoltage protection
● Low power losses, high efficiency
● High forward surge capability
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
Mechanical Data
Package:
DO-214AA (SMB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, resistance load, Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
IO
V
A
SYMBOL UNIT SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B
SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B
20
30
40
50
60
3.0
80
100
150
200
IFSM
Tstg
Tj
A
-55~+125
70
-55 ~+150
-55 ~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode @ VRM=VRRM
SYMBOL UNIT
TEST
SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B
CONDITIONS
IFM=3.0A
Ta=25℃
IRRM
mA
Ta=100℃
10
5
0.50
0.50
0.70
0.85
0.10
0.90
VF
V
1/4
S-S134
Rev. 2.3,28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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