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SMF36A

产品描述极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):3.4A 箝位电压:58.1V 击穿电压(最小值):40V 反向关断电压(典型值):36V VRWM=36V,Vc=58.3V,Ipp=3.4A
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小404KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SMF36A概述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):3.4A 箝位电压:58.1V 击穿电压(最小值):40V 反向关断电压(典型值):36V VRWM=36V,Vc=58.3V,Ipp=3.4A

SMF36A规格参数

参数名称属性值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)3.4A
箝位电压58.1V
击穿电压(最小值)40V
反向关断电压(典型值)36V

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SMF SERIES
Surface Mount Transient Voltage Suppressor
Features
Low profile package
● Ideal for automated placement
● Glass passivated chip junction
● Available in Unidirectional and Bidirectional
RoHS
COMPLIANT
● 200 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs
waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 % (300W above 78 V)
● Excellent clamping capability
● Very fast response time
● Low incremental surge resistance
● Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak of 260 °
C
● Solder Dip 260 ° 40 seconds
C,
● Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
Typical Applications
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for
consumer, computer, industrial, automotive and
elecommunication.
Mechanical Date
Package:
SOD-123FL
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
SYMBOL
UNIT
Conditions
with a 10/1000us waveform
(SMF5.0A~ SMF58A)
Max
200
Peak power dissipation
P
PPM
W
with a 10/1000us waveform
(SMF60A~ SMF170A)
175
(See Next Table)
-55 to +150
Between junction and lead
℃/W
Between junction and Ambient
Between junction and Curve
26
300
40
Peak pulse current
Operating junction and
storage temperature range
I
PPM
T
J
,T
STG
R
θJL
A
with a 10/1000us waveform
Thermal resistance
R
θJA
R
θJC
Notes:
(1). Non-repetitive current pulse at T
A
=25℃,per waveform of Figure 2.
(2). T
L
=30℃ unless otherwise noted , VF
≤1.25Volts@200mA.
1/5
S-S112
Rev. 2.2, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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