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15N10L-TN3-R

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37.4W(Tc) 类型:N沟道 N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小210KB,共5页
制造商友顺(UTC)
官网地址http://www.utc-ic.com/
友順科技股份有限公司成立於1990年,專注致力於類比IC及離散式元件Discrete研發、設計、製造、封裝、測試及行銷業務。
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15N10L-TN3-R概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37.4W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

15N10L-TN3-R规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)14.7A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)37.4W(Tc)
类型N沟道
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