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UT3N06G-AE3-R

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,90mΩ@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小248KB,共4页
制造商友顺(UTC)
官网地址http://www.utc-ic.com/
友順科技股份有限公司成立於1990年,專注致力於類比IC及離散式元件Discrete研發、設計、製造、封裝、測試及行銷業務。
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UT3N06G-AE3-R概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,90mΩ@10V

UT3N06G-AE3-R规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻90mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UT3N06
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
DESCRIPTION
Power MOSFET
The UTC
UT3N06
is an N-channel power MOSFET
providing very low on-resistance. It has high efficiency and
perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the
commercial and industrial fields.
FEATURES
SYMBOL
Drain
* Simple drive requirement
Gate
Source
ORDERING INFORMATION
Package
SOT-89
SOT-23
TO-251
TO-252
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
S
G
D
G
D
S
G
D
S
Packing
Tape Reel
Tape Reel
Tube
Tape Reel
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
-
UT3N06G-AB3-R
-
UT3N06G-AE3-R
UT3N06L-TM3-T
UT3N06G-TM3-T
UT3N06L-TN3-R
UT3N06G-TN3-R
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain
S: Source
MARKING
SOT-89
SOT-23
TO-251 / TO-252
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
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