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4N70KL-MT-TF1-T

产品描述漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W 类型:N沟道 N沟道,700V,4.4A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小345KB,共8页
制造商友顺(UTC)
官网地址http://www.utc-ic.com/
友順科技股份有限公司成立於1990年,專注致力於類比IC及離散式元件Discrete研發、設計、製造、封裝、測試及行銷業務。
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4N70KL-MT-TF1-T概述

漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W 类型:N沟道 N沟道,700V,4.4A

4N70KL-MT-TF1-T规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.2Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)36W
类型N沟道
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