2N60G-CB-AA3-R,2N60G-CB-AA3-R pdf中文资料,2N60G-CB-AA3-R引脚图,2N60G-CB-AA3-R电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> 2N60G-CB-AA3-R

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2N60G-CB-AA3-R: 产品描述漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道 N沟道,600V,2A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小288KB，共7页; 制造商友顺(UTC); 官网地址http://www.utc-ic.com/; 友順科技股份有限公司成立於1990年，專注致力於類比IC及離散式元件Discrete研發、設計、製造、封裝、測試及行銷業務。

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2N60G-CB-AA3-R概述

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道 N沟道,600V,2A

2N60G-CB-AA3-R规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	44W
类型	N沟道

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