Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> BAT54(L4)

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BAT54(L4): 产品描述直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 100mA; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小176KB，共2页; 制造商先科(ST); 官网地址http://www.semtech.com.hk/; 先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商，我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件，主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管，以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED，用于工业、计算机、汽车、消费、电信及照明市场的各种类型的电子设备中。

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BAT54(L4)概述

直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 100mA

BAT54(L4)规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	30V
平均整流电流（Io）	200mA
正向压降（Vf）	1V @ 100mA

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BAT54 / A / C / S

Schottky Barrier Diodes

BAT54

BAT54S

BAT54C

BAT54A

BAT54

Marking Code:

BAT54A Marking Code:

L42

BAT54C Marking Code:

L43

BAT54S Marking Code:

L44

TO-236 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings

= 25

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Average rectified forward current

Repetitive Peak Forward Current

Non-repetitive peak forward surge current

at Pulse width=1 second

Power dissipation

Thermal resistance junction to ambient air

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

RRM

F(AV)

FRM

FSM

tot

JA

stg

Limits

200

300

600

290

430

- 55 to + 150

Unit

C/W

These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Characteristics at T

= 25

Parameter

Forward voltage

at I

= 0.1 mA

at I

= 1 mA

at I

= 10 mA

at I

= 30 mA

at I

= 100 mA

Reverse current

at V

= 25 V

Breakdown voltage

at I

=10

μA

Total capacitance

at V

= 1 V, f = 1 MHz

Reverse recovery time

at I

= 10 mA, I

= 1 mA, R

= 100

Ω

Symbol

Min.

Max.

240

320

400

500

1000

Unit

tot

μA

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

Dated

：

16/03/2015 Rev

：

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